st意法半导体

该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的DPAK封装的引脚对引脚兼容设计。
st意法半导体　PI3USB31532Q 支持三种符合 USB Type-C 规格配置模式，为设计人员提供多种方案选择。它能连接 USB 3.2 Gen 2 单通道与 USB Type-C 连接器；连接 USB 3.2 Gen 2 单通道与 DP 2.1 UHBR10 双通道；或连接 DP 2.1 UHBR10 四通道。针对DisplayPort配置时，PI3USB31532Q 也会连接互补 AUX 通道与 USB Type-C 边带(Sideband)管脚：SBU1 与 SBU2。该器件的配置模式由 I2C 或使用四个外部管脚的芯片内置逻辑控制。
此外，模块的消光比、TDECQ、灵敏度、BER等关键技术指标，可完全满足SR4标准。经实测，OM4光纤传输距离超过150m(标准100m)，性能追平头部光模块企业同类产品。

宣布推出全新具备Conformal Coating表面涂层的DDR5 Registered DIMM （RDIMM） 内存模块，适用于沉浸式液冷服务器设计。 此款创新产品结合DDR5的卓越性能与增强的保护功能，确保在严苛的数据中心环境中实现产品可靠性和长期耐用度。
软件方面，通过集群控制服务将N个节点联成一套具有高扩展性的文件系统；通过分布式元数据服务提升海量小文件读写性能；通过数控分离架构，实现东西向网络优化，降低IO访问时延，提升单节点带宽。在软硬件协同创新下，AS13000G7-N充分满足大模型应用在存储性能和存储容量方面的严苛需求。
st意法半导体HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。
　　ABI Research近发布的一份报告显示[1]，包括传感、机器人、信标、智能家居、资产追踪等工业物联网应用以及其他未来应用场景，对产品的各种性能都有更高的要求。为此，英飞凌推出的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块通过提供强大的连接能力和出色的性能，能帮助客户打造出适用于物联网和消费电子领域的创新产品。
　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。

HAL/HAR 3936 具有多功能编程特征以及高精度，这款传感器是转向柱开关、换挡器、制动踏板位置传感器或制动行程传感器的潜在解决方案。**现可提供样品。计划于 2024 年低投产。
st意法半导体　　英飞凌表示，这种功率和性能的组合可节省系统物料清单 (BOM)，而 <10 ?A 深度睡眠和 <1 ?A 休眠模式可为低功耗和电池驱动应用节省能源。 　村田首款实现了1608M尺寸且静电容量可达100F的多层陶瓷电容器在高达105℃的高温环境下也能使用，因此，该电容可以放置在IC附近可用于包括AI和数据中心等的高性能IT设备在内的民生设备株式会社村田制作所（以下简称“村田”）已开发出了村田首款※1、1608M尺寸（1.6×0.8mm）、静电容量高达100?F的多层陶瓷电容器（以下简称“本产品”）。 　　 减少设计占用空间，实现系统可靠性和保护：采用紧凑高效的熔断引线 SOIC-6 封装，可承受严苛的汽车和工业环境，实现高可靠性和保护功能。