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　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
st品牌OPTIGA Authenticate NBT通过使用NFC（近场通信）技术，为物联网设备与支持非接触式读卡功能的智能设备(如智能手机)间的相互通信提供便利，实现该场景下，对大数据量的无缝且高速数据传输需求的方案的落地。
　　具备高感光性能、低噪声、低功耗三大特点的SC038HGS图像传感器可大幅提升视觉信息的准确性和清晰度，实现在低照度环境下的高质量图像捕捉，从而提供更真实、更清晰的虚拟体验。

　　RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 （LPDDR）及奇景开发的动态随机存取内存控制器（DRAM Controller），其功耗在工作模式下小于300毫瓦（mW），睡眠模式下小于2毫瓦（mW），使电子纸产品的充电周期显著延长。
st品牌　　这些高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案
　　ST推出了 一款一体化、直接飞行时间（dToF ）3D LiDAR（光探测和测距）模块，具有市场领先的2.3k分辨率，并透露了全球的50万像素的早期设计胜利间接飞行时间 ( iToF ) 传感器。
新款磁性位置传感器芯片MLX90427。这款产品专为需要高功能安全级别的嵌入式位置传感器应用而设计。它不仅具备卓越的杂散场抗干扰能力和电磁兼容鲁棒性，还能以高成本效益满足市场的广泛需求。MLX90427的优势之一是提供4种不同模式的SPI输出，包括旋转、摇杆和带有内部角度计算的旋转杂散场模式，以及原始数据输出模式，使其成为线控转向应用的理想选择。

　　为了满足现代应用日益增长的功率需求，该连接器可以提供每回路高达4A的额定电流。该高载流能力可以确保功率传输安全可靠，并能很好地满足各类先进技术对于高水平功率的要求。
st品牌软件方面，通过集群控制服务将N个节点联成一套具有高扩展性的文件系统；通过分布式元数据服务提升海量小文件读写性能；通过数控分离架构，实现东西向网络优化，降低IO访问时延，提升单节点带宽。在软硬件协同创新下，AS13000G7-N充分满足大模型应用在存储性能和存储容量方面的严苛需求。
　　HAL/HAR 3936 满足行业对稳健型 3D 位置传感器和符合 ISO 26262 标准的需求，为包括转向柱开关在内的各种应用场景提供可靠的解决方案。值得关注的功能包括能够省电的低功率模式，便于直接连接到车辆的电池，以提高效率。
　　除了黑夜场景，白天一线作业难免也会遇到强弱光、雾霾等复杂作业环境，禅思 H30 系列变焦和广角相机可自动判断环境光的亮度和动态范围，通过超感光智能拍照可输出明暗过渡自然、细节丰富的照片。如遇到大雾等复杂天气，全新电子去雾功能[3]还能智能化提高画面清晰度，减少环境带来的干扰。