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在电机控制逆变器方面，开发人员正在使用 GaN 来减少热量，获得更小、更持久的系统功率。以上两个市场正是CGD ICeGaN 功率 IC 现在的目标市场。简化的栅极驱动器设计和降低的系统成本，再加上先进的高性能封装，使 P2 系列 IC 成为这些应用的选择。
安世半导体igbt　　Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布在业界率先验证并出货基于大容量 32Gb 单块 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 内存，其速率在所有主流服务器平台上均高达 5,600 MT/s。
　　KR2002-Q06N5AA采用了创新的结构设计，优化了釉面（作为储热层）和特殊的低电阻加热元件。同时，加热元件上的保护膜结构也经过优化，确保产生的热量能高效传递到打印介质，如热敏纸和热转印色带。此外，通过改进驱动IC和布线结构，设备能更有效地将电力转换为热能，从而提高打印性能。

这一全新的Rambus服务器 PMIC 芯片产品系列与 Rambus DDR5 RCD、SPD Hub 和温度传感器 IC 一起组成一个完整的内存接口芯片组，适用于各种DDR5 RDIMM 配置和用例。
　　谷歌今天宣布推出 Pixel 系列中的几款新智能手机，包括 Pixel 9 Pro Fold、Pixel 9、Pixel 9 Pro 和 Pixel 9 Pro XL，所有这些手机都具有由 Gemini 驱动的全新 AI 功能。此外还有新款 Pixel Watch 3 和 Pixel Buds Pro 2 耳机。
安世半导体igbt近期推出了用于科学和工业应用的pco.dimax3.6 ST流媒体高速相机。这款新相机采用实时图像流，能以360万像素的分辨率和2166帧/秒的记录速度捕捉清晰的图像，非常适用于高速分拣、分析和检测应用，包括生产控制与分析、质量保证、研究、工艺和材料开发、激光焊接、惰性气体焊接以及汽车安全气囊和部件测试。
　　EHL系列符合多种，包括EMC抗扰度的EN61000-4，以及EMC辐射的EN55032和EN61000-3。安规包括IEC62368-1和EN60335-1。这些确保该产品在各类工业电子、机器人、可再生能源、自动化和家庭应用中的安全运行，同时无需外部过滤即可满足A级噪声要求。
　　ADAT3XF TwinRevolve的设计充分考虑了用户精度对精度的要求，其1σ时的精度优于5 μm。这种精度水平加上超高的产量，为研发新一代产品提供了更多可能性，因为以往倒装芯片装配速度太慢、成本太高。与传统的焊线相比，使用倒装芯片封装还有助于生产出更可靠的产品，具有更低的功耗和更好的高频和热管理性能。

　　无论是组合穿戴还是单品佩戴，通过与三星Galaxy智能手机的互联，用户的日常体验都将得到进一步的拓展和丰富：佩戴三星Galaxy Ring或Galaxy Watch新品时，可使用手势,操控Galaxy智能手机实现远程拍照、关闭闹钟；且二者在搭配使用时，不仅数据测量会更精准，戒指的续航还会进一步延长。
安世半导体igbt　　得益于内部集成的微处理器，BI11-CK40和NI25-CK40产品显著提高了线性度和精度，由于内部具有温度补偿，所以其温度范围可达-25~+70℃。产品具有一个标准0~10V模拟量输出和一个附加的可配置参数的IO-Link接口，从而可提供的测量数据，并且也可用于预测性维护。
　　这些改进使得KR2002-Q06N5AA在使用单个锂离子电池时，就能达到与传统2节锂离子电池（7.2V）驱动打印头相同的打印速度和质量。与现有的单电池驱动热打印头相比，KR2002-Q06N5AA将打印所需的应用能量降低了约30%，实现了更高的能源效率，同时减小了热敏打印机设备的尺寸和重量。
这些模块具有 2k VDC/1 min 功能型隔离（对于 REC10K 系列，则为 1.6k VDC/1 min），符合 IEC/EN/UL62368-1 标准，降额时可在 -40°C 至 +105°C 的环境温度下工作（ REC10K 降额时的工作温度范围为 -40°C 至 100°C）。使用规格书中指定的外部滤波器，传导 EMC 可以符合“A 级和 B 级”水平。